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IXTK90N25L2
IXTX90N25L2
1,000
Fig. 13. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
R DS(on) Limit
1,000
Fig. 14. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 75oC
R DS(on) Limit
100
25μs
100μs
100
25μs
100μs
1ms
1ms
10
10ms
100ms
10
10ms
1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
DC
1
T J = 150oC
T C = 75oC
Single Pulse
DC
100ms
10
100
1000
10
100
1000
V DS - Volts
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
V DS - Volts
IXYS REF: T_90N25L2(9R)12-01-08
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IXTY01N100D 功能描述:MOSFET MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTY01N80 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 800V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTY02N120P 功能描述:MOSFET 0.2Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXTY05N100 功能描述:MOSFET Legacy MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube